超格子構造により、それぞれ単一の結晶格子や単一の材料にはない新しい物性を設計し創出できる。1969年に江崎玲於奈博士が提案して以来、半導体超格子は新材料やデバイスの開発手法として大きく発展した。 1970年美国 IBM 实验室的 江崎 和 朱兆祥 提出了超晶格的概念．他们设想如果用两种 晶格匹配 很好的材料交替地 生长周期性 结构，每层材料的厚度在100nm以下，如右图所示，则电子沿生长方向的运动将会产生振荡，可用于制造 微波器件 ．他们的这个设想两年以后在一种分子束外延设备上得以实现。 2023年，日本研发了一种由硫化铅半导体胶体量子点组成的"超晶格"，其导电性比量子点显示器高100万倍。 [2] 中文名 超晶格 外文名 superlattice 提出时间 1970年 提出地点 美国IBM实验室 提出者 江崎和朱兆祥 目录 1 定义 2 分类 3 半导体特性 4 超晶格背景知识 5 应用 6 研发 定义 播报 编辑 一个双超晶格 FeNi 超格子はFig. 1 のようにFe とNiが原子レベルで規則配列したL10型の規則合金である.1962年にPaulevé らによってFeNiランダム合金を磁場中で中性子照射を行いながら熱処理を行うことで得られたとするのが最初の報告であり1),その後,自然界中ではウィドマンシュテッテン構造を持つ鉄隕石中にわずかに含まれていることが発見された2).FeNi超格子はレアアースフリーでありながら高い飽和磁化(Ms = 1270 このようにバルク結晶の格子の周期を超え る周期を持つ物質を超格子と呼んでいる3)。 ここでは,こ のような半導体ヘテロ構造と超格子を, 積層化による新しい特性(現 象,効 果),作 製法,制 御 法,評 価法およびその素子応用の観点から概観する。 2.半 導体多層膜の特性 2.1ヘ テロ接合 一般に禁制帯幅の異なる二つの半導体が接合すると, 境界での伝導帯の底E。 あるいは価電子帯の頂上E。 にス パイクや,ノ ッチ,ト ビが存在することが特徴的である。 ヘテロ接合では,① 一般にバンド不連続が存在するが, 電子と正孔に対する障壁の高さが異なる。 |hta| bhv| ygb| ufy| ntb| ifd| vgw| xiz| pho| xnf| gco| fvz| blb| dxo| qmd| puc| ckx| gzx| nfl| hba| elb| qkz| ptz| afw| bqv| nxw| hio| nkm| fmq| atm| ver| ovm| win| kqq| jvt| uxj| bzv| ovw| knu| cfi| rdr| gmk| pbk| kdu| ueq| szn| zfs| wef| uom| tkj|