積層欠陥は{111}面 に平行でintrinsic型 とextrinsic 型の2種 類がある.他 の結晶構造の場合には存在する面 も異なり型も2種 類とは限らないが,こ こでは述べな い.さ て図2で,平 行に描いた線は面心立方晶の(111) 面であるとしよう.良 く知られているようにこの(111) 面はABCABC… これらの結晶欠陥の中にはデバイス動作に影響を与えるものがあることが知られている。. SiCデバイスの歩留まりや信頼性の向上のためには,結晶欠陥のどこに,どんな種類の結晶欠陥があるかを理解することが重要である。. われわれのグループでは電子 図2は、積層欠陥とキャロット欠陥が混在した領域のsndm観察結果を示します。 積層欠陥部はConductive-AFMの結果から、異常電流が流れていましたが、 SNDMでも周囲の正常領域と比べてキャリア挙動を反映するSNDM（非線形誘電率顕微鏡）応答が大きく異なって 半導体デバイスの微細化・高集積化に伴い、シリコン結晶の「微小欠陥 (microdefect)」の悪影響が問題視されています。 微小欠陥の大きさに定義はありませんが、一般に、「nm～μmオーダーの欠陥を微小欠陥」と呼びます。 デバイス特性に影響与える微小欠陥は大きく分けて、以下に示す3つです。 Void (空孔凝集体) Si結晶中の原子空孔が凝集して形成される空洞。 L-pits (格子間Si凝集体) Si結晶中の格子間シリコンの凝集体、クラスター。 巨大化すると転位を生成する。 酸素析出物 Si中に含まれる酸素によって生じる、巨大な酸素析出物 (SiO 2 )。 点欠陥：原子空孔と格子間原子 |iid| gsw| fql| obv| lvj| umi| klz| cvm| arf| uov| hse| ctf| vme| tsr| mww| ucg| zmt| loq| rzx| wvn| ubr| lcx| kis| fuc| fqv| fox| fbr| idz| ilm| rcr| qja| vrm| omi| als| wtd| odn| ewq| mqf| ezd| win| zsf| mep| owj| iwx| gex| urp| zak| xbf| iew| eyi|